Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
140
Lista 2021
Status:
Autorzy: Węgierek Paweł, Pastuszak Justyna
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2021
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 22
Wolumen/Tom: 14
Numer artykułu: 6950
Strony: 1 - 13
Web of Science® Times Cited: 1
Scopus® Cytowania: 2
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Finansowanie: This research was founded by Lublin University of Technology, grant number FD-20/EE-2/708.
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 17 listopada 2021
Abstrakty: angielski
The aim of the work is to present the possibility of generating intermediate levels in the band gap of p-type silicon doped with boron by using neon ion implantation in the aspect of improving the efficiency of photovoltaic cells made on its basis. The work contains an analysis of the influence of the dose of neon ions on the activation energy value of additional energy levels. The article presents the results of measurements of the capacitance and conductance of silicon samples with a resistivity of ρ = 0.4 Ω cm doped with boron, the structure of which was modified in the implantation process with Ne+ ions with the energy E = 100 keV and three different doses of D = 4.0 × 1013 cm−2, 2.2 × 1014 cm−2 and 4.0 × 1014 cm−2, respectively. Activation energies were determined on the basis of Arrhenius curves ln(et(Tp)/Tp2) = f(1/kTp), where Tp is in the range from 200 K to 373 K and represents the sample temperature during the measurements, which were carried out for the frequencies fp in the range from 1 kHz to 10 MHz. In the tested samples, additional energy levels were identified and their position in the semiconductor band gap was determined by estimating the activation energy value. The conducted analysis showed that by introducing appropriate defects in the silicon crystal lattice as a result of neon ion implantation with a specific dose and energy, it is possible to generate additional energy levels ∆E = 0.46 eV in the semiconductor band gap, the presence of which directly affects the efficiency of photovoltaic cells made on the basis of such a modified material.