Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Węgierek Paweł, Billewicz Piotr
Rok wydania:	2013
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	5
Wolumen/Tom:	123
Strony:	948 - 951
Impact Factor:	0,604
Web of Science® Times Cited:	8
Scopus® Cytowania:	8
Bazy:	Web of Science \| Scopus \| WOS
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Witryna wydawcy
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Abstrakty:	angielski
	The article presents the results of research on alternating-current electric conduction in boron-doped silicon (ρ = 10 Ω cm), strongly defected by the implantation of Ne+ ions (D = 1.5 × 1014 cm-2, E = 100 keV). The analysis of changes in electrical characteristics recorded at the sample annealing temperature of Ta = 373 K has been presented, concerning the influence of the testing temperature ranging from 253 K to 368 K as well as the frequency from 50 Hz to 5 MHz. The obtained results have confirmed the occurrence of two electric conduction mechanisms in strongly defected semiconductors, such as the band conduction mechanism that is characteristic of low frequency values and the jump conduction one that corresponds to higher frequencies.

Research on mechanisms of electric conduction in the p-type silicon implanted with Ne+ Ions