Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Autorzy: Węgierek Paweł, Billewicz Piotr
Rok wydania: 2013
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 5
Wolumen/Tom: 123
Strony: 948 - 951
Web of Science® Times Cited: 7
Scopus® Cytowania: 7
Bazy: Web of Science | Scopus | WOS
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Abstrakty: angielski
The article presents the results of research on alternating-current electric conduction in boron-doped silicon (ρ = 10 Ω cm), strongly defected by the implantation of Ne+ ions (D = 1.5 × 1014 cm-2, E = 100 keV). The analysis of changes in electrical characteristics recorded at the sample annealing temperature of Ta = 373 K has been presented, concerning the influence of the testing temperature ranging from 253 K to 368 K as well as the frequency from 50 Hz to 5 MHz. The obtained results have confirmed the occurrence of two electric conduction mechanisms in strongly defected semiconductors, such as the band conduction mechanism that is characteristic of low frequency values and the jump conduction one that corresponds to higher frequencies.