Application of DC magnetron sputtering for creation of gas-sensitive indium oxide thin films and their properties
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Luhin Valery G., Zharsky Ivan, Żukowski Paweł |
| Rok wydania: | 2013 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 5 |
| Wolumen/Tom: | 123 |
| Strony: | 837 - 839 |
| Impact Factor: | 0,604 |
| Web of Science® Times Cited: | 10 |
| Scopus® Cytowania: | 10 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus | Web of Science Core Collection |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| In this paper the technology of gas sensitive semiconductor structures based on indium oxide thin films by DC magnetron sputtering of indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, surface morphology and chemical composition of the obtained films have been investigated by electron diffraction, scanning electron microscopy, Auger electron spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. Conditions of In2O3 films formation with high selectivity and sensitivity to NO2, and NH3 are established |
