Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Nha Vo Quang , Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania:	2013
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	5
Wolumen/Tom:	123
Strony:	926 - 928
Impact Factor:	0,604
Web of Science® Times Cited:	0
Scopus® Cytowania:	0
Bazy:	Web of Science \| Scopus \| WOS
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Witryna wydawcy
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Abstrakty:	angielski
	Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly dop ed with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the p + -region (implantation energy 170 MeV, fluence from 5x10 7 to 10 9 cm 2). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes

Current-Voltage characteristic features of diodes irradiated with 170 MeV Xenon Ions