Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Autorzy: Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Nha Vo Quang , Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2013
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 5
Wolumen/Tom: 123
Strony: 926 - 928
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus | WOS
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Abstrakty: angielski
Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly dop ed with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the p + -region (implantation energy 170 MeV, fluence from 5x10 7 to 10 9 cm 2). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes