Current-Voltage characteristic features of diodes irradiated with 170 MeV Xenon Ions
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Nha Vo Quang , Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz |
| Rok wydania: | 2013 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 5 |
| Wolumen/Tom: | 123 |
| Strony: | 926 - 928 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus | WOS |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly dop ed with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the p + -region (implantation energy 170 MeV, fluence from 5x10 7 to 10 9 cm 2). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes |
