Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
The publication of the paper is supported by the “Excellence in Science” program of the Polish Ministry of Education and Science (“Międzynarodowa Konferencja “Implantacja jonowa i inne zastosowania jonów i elektronów ION’2022”).
Thermal desorption of Argon (Ar) implanted with energies 150 keV and 100 keV with fluence 1×1016 cm-2 into
gallium arsenide is considered. A sudden release of Ar is observed in temperature range 1100–1180 K as a single
narrow peak in TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) spectra. This is accompanied by a strong background
signal from atmospheric Ar trapped in various parts of the spectrometer. Desorption peak shift analysis allows
estimation of desorption activation energy values – these are 3.6 eV and 2.5 eV for implantation energies 150 keV
and 100 keV, respectively. These results are comparable to that measured for Ar implanted into germanium target.
