Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

MNiSW
140
Lista 2023
Status:
Autorzy: Tahani Masoud, Postek Eligiusz, Motevalizadeh Leili, Sadowski Tomasz
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2023
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 2
Wolumen/Tom: 28
Numer artykułu: 744
Strony: 1 - 19
Impact Factor: 4,2
Web of Science® Times Cited: 9
Scopus® Cytowania: 9
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Finansowanie: This research was funded by the Polish National Agency for Academic Exchange (NAWA) under grant number [BPN/ULM/2021/1/00115/U/DRAFT/00001].
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 11 stycznia 2023
Abstrakty: angielski
The mechanical properties of ceramic–metal nanocomposites are greatly affected by the equivalent properties of the interface of materials. In this study, the effect of vacancy in SiC on the interdiffusion of SiC/Al interfaces is investigated using the molecular dynamics method. The SiC reinforcements exist in the whisker and particulate forms. To this end, cubic and hexagonal SiC lattice polytypes with the Si- and C-terminated interfaces with Al are considered as two samples of metal matrix nanocomposites. The average main and cross-interdiffusion coefficients are determined using a single diffusion couple for each system. The interdiffusion coefficients of the defective SiC/Al are compared with the defect-free SiC/Al system. The effects of temperature, annealing time, and vacancy on the self- and interdiffusion coefficients are investigated. It is found that the interdiffusion of Al in SiC increases with the increase in temperature, annealing time, and vacancy.