Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
10
Lista B
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Półprzewodnikowe przetworniki fotoelektryczne z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości
|
| Autorzy: | Vorobey Roman I., Gusev Oleg K., Tyavlovsky Andrey K., Tyavlovsky Konstantin L., Svistun Alexander I. , Shadurskaya Lyudmila I. , Yarzhembitskaya Nadezhda V., Kierczyński Konrad |
| Rok wydania: | 2014 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 5 |
| Wolumen/Tom: | 90 |
| Strony: | 75 - 78 |
| Bazy: | SCOPUS | INSPEC | BAZTECH |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloładunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą. | |
| Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure. |
