Admittance and permittivity in doped layered TlGaSe2 single crystals
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Dawood S.A., Fedotov Aleksander K., Mammadov Tofig G., Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Saad Anis M., Drozdov N. A. |
| Rok wydania: | 2014 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 6 |
| Wolumen/Tom: | 125 |
| Strony: | 1267 - 1270 |
| Impact Factor: | 0,53 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| In doped TlGaSe2 crystals the phase transitions at low temperatures (100-170 K) were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80-320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations Nimp < 0.5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with Nimp > 0.5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence. |
