Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Węgierek Paweł, Billewicz Piotr
Rok wydania:	2014
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	6
Wolumen/Tom:	125
Strony:	1392 - 1395
Impact Factor:	0,53
Bazy:	Web of Science Core Collection
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Witryna wydawcy
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Abstrakty:	angielski
	The article presents the outcome of the research on alternating-current electric conduction in silicon doped with boron, phosphorus, and antimony of resistivities ρ=0.01 Ω cm and ρ=10 Ω cm, strongly defected by the implantation of Ne+ ions (D=1.5 × 1014 cm-2, E=100 keV). On the basis of results obtained for samples annealed at the temperature Ta=598 K and measured at the testing temperature Tp=298 K and frequency f=1 MHz it was possible to carry out an analysis of mechanisms of electric conduction depending on the type and concentration of dopant. Obtained results confirmed the occurrence of hopping conductivity mechanism in strongly defected semiconductors, which is typical for high frequency values.

Changes in the activation anergy of radiation defects in strongly defected silicon depending on the type and concentration of dopant