Changes in the activation anergy of radiation defects in strongly defected silicon depending on the type and concentration of dopant
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Węgierek Paweł, Billewicz Piotr |
| Rok wydania: | 2014 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 6 |
| Wolumen/Tom: | 125 |
| Strony: | 1392 - 1395 |
| Impact Factor: | 0,53 |
| Bazy: | Web of Science Core Collection |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| The article presents the outcome of the research on alternating-current electric conduction in silicon doped with boron, phosphorus, and antimony of resistivities ρ=0.01 Ω cm and ρ=10 Ω cm, strongly defected by the implantation of Ne+ ions (D=1.5 × 1014 cm-2, E=100 keV). On the basis of results obtained for samples annealed at the temperature Ta=598 K and measured at the testing temperature Tp=298 K and frequency f=1 MHz it was possible to carry out an analysis of mechanisms of electric conduction depending on the type and concentration of dopant. Obtained results confirmed the occurrence of hopping conductivity mechanism in strongly defected semiconductors, which is typical for high frequency values. |
