Controlling the characteristic of photovoltaic cells based on their own semiconductors
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
14
Lista B
| Status: | |
| Autorzy: | Vorobey Roman I., Gusev Oleg K., Tyavlovsky Konstantin L., Svistun Alexander I. , Shadurskaya Lyudmila I. , Yarzhembitskaya Nadezhda V., Kierczyński Konrad |
| Rok wydania: | 2015 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 8 |
| Wolumen/Tom: | 91 |
| Strony: | 81 - 85 |
| Scopus® Cytowania: | 3 |
| Bazy: | Scopus | SCOPUS | INSPEC | BAZTECH |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| The fustures of photovoltaic calles with ther own photoconductivity in semiconductors with deep-level multiply -charge impurity have been considered.The use of such structures can significantly extend the dynamic range of sensitivity and gain new functional properties of single-element photoelectric recerivers.Photovoltaic converters based on semiconductors with deep-level multiply -charge acceptor type impurity enable devices with a wider functionality ,whweas the structure with multiply-charge donor type impurity has better linearity of energy performance.In the development of photoelectric receiver with advanced functionality features the model of recombination processes in multiply-charge impurity in a wide range of optical radiation power density hasbeen used. |
