Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
35
Lista A
Status:
Autorzy: Fedotov Aleksander K., Prischepa Serghej L., Svito Ivan A., Redko Sergey V., Saad Anis M., Mazanik Aleksander V. , Dolgiy Alexei L., Fedotova Vera V., Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2016
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 5
Wolumen/Tom: 657
Strony: 21 - 26
Web of Science® Times Cited: 10
Scopus® Cytowania: 12
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
In the present paper we have studied the peculiarities of carrier transport properties of nanoheterostructures containing silicon substrate covered with porous silicon layer, where pores were either filled or non-filled with ferromagnetic Ni clusters. We have carried out DC conductivity experiments as a function of temperature (ranging from 2 to 300 K) and porosity of porous silicon layer (between 30% and 70%). Presence of a surface layer with high resistance on the porous silicon top and its role in nanoheterostructure formation was revealed. It was shown that specific electrochemical kinetics of Ni deposition into porous silicon significantly influences resultant nanostructure resistance and high temperature conductance activation energy.