Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
14
Lista B
| Status: | |
| Autorzy: | Miskiewicz S.A., Komarov Fadei F., Komarov Aleksandr F., Żukowski Paweł, Michailov V. V. |
| Rok wydania: | 2016 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 11 |
| Wolumen/Tom: | 92 |
| Strony: | 236 - 238 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Scopus | EBSCO | INSPEC | BAZTECH |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora. (Symulacja wpływu promieniowania neutronowego na charakterystyki p-n-p tranzystorów bipolarnych) | |
| We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages. |
