Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
14
Lista B
Status:
Autorzy: Miskiewicz S.A., Komarov Fadei F., Komarov Aleksandr F., Żukowski Paweł, Michailov V. V.
Rok wydania: 2016
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 11
Wolumen/Tom: 92
Strony: 236 - 238
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Scopus | EBSCO | INSPEC | BAZTECH
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Abstrakty: polski | angielski
Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora. (Symulacja wpływu promieniowania neutronowego na charakterystyki p-n-p tranzystorów bipolarnych)
We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages.