Raman Study of CVD graphene irradiated by swift heavy ions
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Scopus, WOS
| Status: | |
| Autorzy: | Kolesov Egor A., Tivanov Mikhail, Korolik Olga V., Apel Pavel, Skuratov Vladimir A., Saad Anis M., Komissarov Ivan V., Świć Antoni, Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2017 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 3 |
| Wolumen/Tom: | 9 |
| Strony: | 03020-1 - 03020-4 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Otwarte czasopismo |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 30 czerwca 2017 |
| Abstrakty: | angielski |
| CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 10(11) cm(-2)) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from similar to 24 to similar to 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from similar to 4.0 x 10(3) to similar to 1.3 . 10(3) cm(2)/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility. |
