Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 10(11) cm(-2)) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from similar to 24 to similar to 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from similar to 4.0 x 10(3) to similar to 1.3 . 10(3) cm(2)/V s.
The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.
