Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Scopus, WOS
Status:
Autorzy: Kolesov Egor A., Tivanov Mikhail, Korolik Olga V., Apel Pavel, Skuratov Vladimir A., Saad Anis M., Komissarov Ivan V., Świć Antoni, Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2017
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 3
Wolumen/Tom: 9
Strony: 03020-1 - 03020-4
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Otwarte czasopismo
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 30 czerwca 2017
Abstrakty: angielski
CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 10(11) cm(-2)) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from similar to 24 to similar to 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from similar to 4.0 x 10(3) to similar to 1.3 . 10(3) cm(2)/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.