Influence of semi-conducting layers formation technology on electrical parameters of Si structures used in photovoltaics
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
14
Lista B
Status: | |
Warianty tytułu: |
Wpływ technologii wytwarzania warstw półprzewodzących na parametry elektryczne struktur krzemowych stosowanych w fotowoltaice
|
Autorzy: | Billewicz Piotr, Węgierek Paweł, Grudniewski Tomasz |
Dyscypliny: | |
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
Rok wydania: | 2017 |
Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
Język: | angielski |
Numer czasopisma: | 8 |
Wolumen/Tom: | 93 |
Strony: | 180 - 183 |
Bazy: | INSPEC | BazTech | Copernicus |
Efekt badań statutowych | NIE |
Materiał konferencyjny: | NIE |
Publikacja OA: | TAK |
Licencja: | |
Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
Data opublikowania w OA: | 1 sierpnia 2017 |
Abstrakty: | polski | angielski |
W artykule zaprezentowano wyniki badań, które zostały przeprowadzone na potrzeby weryfikacji możliwości zwiększenia sprawności kwantowej ogniw fotowoltaicznych za pomocą implantacji jonowej. Jako obiekty badawcze wybrano cztery różne ogniwa słoneczne. Eksperyment uwzględniał pomiary zewnętrznej sprawności kwantowej, charakterystyk prądowo - napięciowych w określonym przedziale temperatur oraz obrazowanie SEM. Wyniki przeanalizowano w aspekcie możliwości zastosowania implantacji jonowej do poprawy sprawności ogniw słonecznych. | |
The aim of this work is to present the results of research, which was conducted to verify the possibility of quantum efficienc y improvement by the means of ion-implantation. As the object of conducted research, four different samples of silicon solar cells have been chosen. Experiment included measurements of external quantum efficiency, I-V characteristics across certain operating temperature range and SEM im aging. Results have been analyzed in the aspect of ion-implantation applications as the way of introducing improvements in the field of solar cells efficiency. |