Application of Ion implantation for intermediate Energy levels formation in the silicon-based structures dedicated for photovoltaic purposes
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Billewicz Piotr, Węgierek Paweł, Grudniewski Tomasz, Turek Marcin |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2017 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 2 |
| Wolumen/Tom: | 132 |
| Strony: | 274 - 277 |
| Impact Factor: | 0,857 |
| Web of Science® Times Cited: | 7 |
| Scopus® Cytowania: | 7 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Otwarte czasopismo |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 lutego 2017 |
| Abstrakty: | angielski |
| The main aim of the research was to verify if it is possible to create the intermediate energy levels in silicon by means of ion implantation as well as to confirm whether the intermediate band could arise. The tests covered recording of conductance and capacitance of antimony-doped silicon, implanted with Ne + ions. As a result, it was possible to identify a single deep level in the sample and determine its location in the band gap by estimating the value of activation energy. |
