Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Autorzy: Billewicz Piotr, Węgierek Paweł, Grudniewski Tomasz, Turek Marcin
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2017
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 2
Wolumen/Tom: 132
Strony: 274 - 277
Web of Science® Times Cited: 7
Scopus® Cytowania: 7
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Otwarte czasopismo
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 1 lutego 2017
Abstrakty: angielski
The main aim of the research was to verify if it is possible to create the intermediate energy levels in silicon by means of ion implantation as well as to confirm whether the intermediate band could arise. The tests covered recording of conductance and capacitance of antimony-doped silicon, implanted with Ne + ions. As a result, it was possible to identify a single deep level in the sample and determine its location in the band gap by estimating the value of activation energy.