Modeling, Simulation and Characterization of Aluminum Implantation in 4H-SiC for Large-Area Photodiode Technology
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Kociubiński Andrzej |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2017 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 2 |
| Wolumen/Tom: | 132 |
| Strony: | 225 - 228 |
| Impact Factor: | 0,857 |
| Web of Science® Times Cited: | 2 |
| Scopus® Cytowania: | 2 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Otwarte czasopismo |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 lutego 2017 |
| Abstrakty: | angielski |
| Simulation, modeling and characterization of the aluminum ion implantation in 4H-SiC for large-area pho- todiode technology have been presented in this paper. Modeling and simulation have been performed using the SRIM and TCAD software EDA environments. Main goals were to present and compare the single vs. multiple ion implantation results as well to develop processes leading to achieve required implantation profiles. |
