Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Kociubiński Andrzej
Dyscypliny:
	Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania:	2017
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	2
Wolumen/Tom:	132
Strony:	225 - 228
Impact Factor:	0,857
Web of Science® Times Cited:	2
Scopus® Cytowania:	2
Bazy:	Web of Science \| Scopus
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Otwarte czasopismo
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA:	1 lutego 2017
Abstrakty:	angielski
	Simulation, modeling and characterization of the aluminum ion implantation in 4H-SiC for large-area pho- todiode technology have been presented in this paper. Modeling and simulation have been performed using the SRIM and TCAD software EDA environments. Main goals were to present and compare the single vs. multiple ion implantation results as well to develop processes leading to achieve required implantation profiles.

Modeling, Simulation and Characterization of Aluminum Implantation in 4H-SiC for Large-Area Photodiode Technology