Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Autorzy: Kociubiński Andrzej
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2017
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 2
Wolumen/Tom: 132
Strony: 225 - 228
Web of Science® Times Cited: 2
Scopus® Cytowania: 2
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Otwarte czasopismo
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 1 lutego 2017
Abstrakty: angielski
Simulation, modeling and characterization of the aluminum ion implantation in 4H-SiC for large-area pho- todiode technology have been presented in this paper. Modeling and simulation have been performed using the SRIM and TCAD software EDA environments. Main goals were to present and compare the single vs. multiple ion implantation results as well to develop processes leading to achieve required implantation profiles.