Comparative analysis of the photovoltaic cells efficiency depending on the substrate material processing technology
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
14
Lista B
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Analiza porównawcza sprawności ogniw fotowoltaicznych w zależności od technologii wytwarzania materiału podłożowego
|
| Autorzy: | Billewicz Piotr |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2018 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 7 |
| Wolumen/Tom: | 94 |
| Strony: | 146 - 149 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 lipca 2018 |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| The aim of this article is to present results of the research conducted on the PV cells produced using different technologies. Monocrystalline silicon solar cells of different internal structure were examined using full-spectrum sun simulation system. Analysis included I-V and P-V characteristics as well as calculations of the efficiency and temperature coefficients of the tested cells. Based on the obtained results it was possible to compare performance of the cell produced using ion-implantation technology and the one with substrate treated by diffusion. | |
| Celem artykułu jest zaprezentowanie wyników badań ogniw PV, wykonanych z zastosowaniem różnych technologii produkcji. Ogniwa z krzemu monokrystalicznego, różniące się strukturą wewnętrzną, poddano badaniom z wykorzystaniem systemu do symulacji promieniowania słonecznego o pełnym spektrum, rejestrując charakterystyki I-V oraz P-V badanych próbek. Na podstawie uzyskanych wyników możliwe było porównanie sprawności klasycznych ogniw PV oraz ogniw wyprodukowanych z zastosowaniem implantacji jonowej. |
