Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
Dzięki użyciu spektroskopii Augera, elipsometrii spektralnej oraz dyfrakcji rentgenowskiej po raz pierwszy przedstawiona została możliwość zastosowania szybkiego termicznego usuwania uszkodzonej warstwy na powierzchni roboczej wafli silikonowych, powstałych po chemiczno-mechanicznym polerowaniu, za pośrednictwem jego rekrystalizacji w fazie stałej.
It is by means of the Auger-spectroscopy, spectral ellipsometry, X-ray diffraction that for the first time an opportunity was shown of applying the rapid thermal treatment for removal of the disrupted layer on the working surface of the silicon wafers after the chemical-mechanical polishing owing to its solid-phase re-crystallization.
