Re-crystallization of silicon during rapid thermal treatment
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
14
Lista B
| Status: | |
| Autorzy: | Gorushko Valentina, Omelchenko Anna, Pilipenko Vladimir A., Solodukha Vitali A., Opielak Marek, Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2018 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 5 |
| Wolumen/Tom: | 94 |
| Strony: | 196 - 198 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 maja 2018 |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Dzięki użyciu spektroskopii Augera, elipsometrii spektralnej oraz dyfrakcji rentgenowskiej po raz pierwszy przedstawiona została możliwość zastosowania szybkiego termicznego usuwania uszkodzonej warstwy na powierzchni roboczej wafli silikonowych, powstałych po chemiczno-mechanicznym polerowaniu, za pośrednictwem jego rekrystalizacji w fazie stałej. | |
| It is by means of the Auger-spectroscopy, spectral ellipsometry, X-ray diffraction that for the first time an opportunity was shown of applying the rapid thermal treatment for removal of the disrupted layer on the working surface of the silicon wafers after the chemical-mechanical polishing owing to its solid-phase re-crystallization. |
