Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
Al doped ZnO has been explored as a viable alternative to indium thin oxide, which is usually used as transparent electrodes' coverage but is expensive. Homogenous and durable ZnO:Al layers on glass have been obtained in radio frequency magnetron sputtering system by adjusting optimized deposition parameters, using ZnO ceramic target with 2 wt% Al2O3. Then, after growth process, annealing treatment has been introduced in order to improve the quality of the layers. Structural, electrical and optical properties of the obtained ZnO:Al layers are presented and discussed. From the application point of view, the best results (sheet resistance of 24 Ω/sq and transparency well above 85%) were achieved after annealing in 300 °C.
