Frequency pressure transducer with a sensitivity of mem capacitor on the basis of transistor structure with negative resistance
Fragment książki (Materiały konferencyjne)
MNiSW
15
WOS
| Status: | |
| Autorzy: | Osadchuk Oleksandr V., Osadchuk Iaroslav A., Suleimenov Batyrbek, Zyska Tomasz, Grądz Żaklin, Arman Abenov, Tleshova Akmaral |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Arkusze wydawnicze: | 0,5 |
| Język: | angielski |
| Strony: | 1558 - 1566 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 3 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | XL-th IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and High Energy Physics Experiments |
| Skrócona nazwa konferencji: | XL SPIE-IEEE-PSP 2017 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 28 maja 2017 do 6 czerwca 2017 |
| Miasto konferencji: | Wilga |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| In the article the pressure transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and tenso sensitive MEMS capacitor has been considered. A mathematical model of the frequency pressure transducer in dynamic regime has been developed that allowed to determine the voltage or current in the circuit at any given moment in time when acting this pressure. Analytical expressions of the conversion function and sensitivity equation has been received. The sensitivity of the developed device is between 0,95kHz/kPa to 1,65kHz/kPa. |
