Development of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its making
Fragment książki (Materiały konferencyjne)
MNiSW
15
WOS
| Status: | |
| Autorzy: | Osadchuk Alexander V., Osadchuk Vladimir S., Zhahlovska Olena M., Luganskaya Saule, Kociubiński Andrzej |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Arkusze wydawnicze: | 0,6 |
| Język: | angielski |
| Strony: | 212 - 227 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | The Summer XLII-nd IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and HIgh Energy Physic Experiments |
| Skrócona nazwa konferencji: | XLII SPIE-IEEE-PSP 2018 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 3 czerwca 2018 do 10 czerwca 2018 |
| Miasto konferencji: | Wilga |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| In the article the physical mechanism of optical radiation co-operation with semiconductor devices, technological route of making of MOS - phototransistor with bilateral illumination of channel has been considered. Also the optical transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and MOSFET with bilateral illumination of channel that is a photosensitive element has been considered. A mathematical model of the radiomeasuring optical transducer has been developed. |
