Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
70
Lista 2021
Status:
Autorzy: Czarnacka Karolina, Kołtunowicz Tomasz, Makhavikou Maksim, Parkhomenko Irina N., Komarov Fadei F.
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2019
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 2
Wolumen/Tom: 136
Strony: 274 - 277
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus | PSJD - Polish Scientific Journal Database | Current Contents - Physical | Chemical & Earth Sciences | IC Journals Master List | EBSCO Academic Search Complete
Efekt badań statutowych TAK
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Otwarte czasopismo
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 1 lutego 2019
Abstrakty: angielski
This paper presents the results of electrical and optical measurements of 600 nm thick silicon dioxide on Si layers to which zinc ions have been implanted. Following ion implantation the samples were annealed in air at 1023 K for 2 h. For the samples immediately after preparation and being annealed, AC measurements of resistivity Rp, phase angle θ, capacity Cp, and dielectric loss factor tanδ were made as a function of frequency (measurement range 50 Hz-5 MHz) and the measurement temperature (20 K-375 K). On this basis, the frequency-temperature dependence of conductivity σ was prepared. The strong frequency dependence of conductivity indicates that in the Zn/SiO2 layer after annealing, the conductivity takes place by hopping exchange (tunneling) of electrons between nanoparticles of the Zn metallic phase or between ZnO. Moreover, there is a clear change in the nature of conductivity at high frequencies. The photoluminescence spectra of the as-implanted Zn-SiO2-nanocomposites exhibit a blue-green band. This band is caused by the formation of oxygen vacancies in silicon dioxide. The intensity of this peak is observed to grow with the increasing annealing temperature. Besides, a strong orange-red band was revealed in the photoluminescence spectra of the annealed sample. This emission may be attributed to the presence of oxygen interstitial/antisites. The effect of thermal annealing on light-emitting properties has been discussed.