Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors
Fragment książki (Rozdział monografii pokonferencyjnej)
MNiSW
20
Poziom I
| Status: | |
| Autorzy: | Osadchuk Alexander V., Osadchuk Vladimir S., Osadchuk Iaroslav A., Seletska Olena O., Kisała Piotr, Nurseitova Karlygash |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Strony: | 431 - 442 |
| Web of Science® Times Cited: | 2 |
| Scopus® Cytowania: | 4 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | XLIV-th IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and High Energy Physics Experiments |
| Skrócona nazwa konferencji: | XLIV SPIE-IEEE-PSP 2019 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 26 maja 2019 do 2 czerwca 2019 |
| Miasto konferencji: | Wilga |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| The paper deals with the fundamentals of the theory of photoreactive effect in bipolar and field-effect transistor structures. Photoreactive properties of semiconductor devices are widely used in a variety of radio electronics devices. Therefore, the study of these phenomena in bipolar transistor structures with negative resistance, allows us to create new sensory devices, which have better parameters than existing ones. The method of construction of radiomeasuring microelectronic transducers is offered on the base of photoreactive effect in sensing bipolar and field transistor structures, that has established premises for embodying transducers of optical radiation with a frequency output signal. |
