Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
Compound semiconductor nanocrystals (InAs, InSb, GaSb) were successfully synthesized in single crystalline Si by high fluence ion implantation at 500°C followed by high-temperature rapid thermal annealing or conventional furnace annealing at 900-1100°C. Rutherford backscattering spectrometry, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman scattering, and photoluminescence were employed to characterize the implanted layers. Two different types of the broad band emission extending over 0.75-1.1 eV were observed in photoluminescence spectra of annealed samples. One of the bands disappears in photoluminescence spectra of samples annealed at 1100°C unlike the other one.
