Light emitting single-crystalline silicon wafers implanted with V and III group ions
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
Status: | |
Autorzy: | Komarov Fadei F., Vlasukova Ludmila A., Milchanin Oleg, Greben M., Parkhomenko Irina N., Mudryi A., Wendler E., Żukowski Paweł |
Rok wydania: | 2014 |
Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
Język: | angielski |
Numer czasopisma: | 6 |
Wolumen/Tom: | 125 |
Strony: | 1288 - 1291 |
Impact Factor: | 0,53 |
Web of Science® Times Cited: | 4 |
Scopus® Cytowania: | 4 |
Bazy: | Web of Science | Scopus | Web of Science Core Collection |
Efekt badań statutowych | NIE |
Materiał konferencyjny: | NIE |
Publikacja OA: | TAK |
Licencja: | |
Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
Abstrakty: | angielski |
Compound semiconductor nanocrystals (InAs, InSb, GaSb) were successfully synthesized in single crystalline Si by high fluence ion implantation at 500°C followed by high-temperature rapid thermal annealing or conventional furnace annealing at 900-1100°C. Rutherford backscattering spectrometry, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman scattering, and photoluminescence were employed to characterize the implanted layers. Two different types of the broad band emission extending over 0.75-1.1 eV were observed in photoluminescence spectra of annealed samples. One of the bands disappears in photoluminescence spectra of samples annealed at 1100°C unlike the other one. |