Light emitting single-crystalline silicon wafers implanted with V and III group ions
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Komarov Fadei F., Vlasukova Ludmila A., Milchanin Oleg, Greben M., Parkhomenko Irina N., Mudryi A., Wendler E., Żukowski Paweł |
| Rok wydania: | 2014 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 6 |
| Wolumen/Tom: | 125 |
| Strony: | 1288 - 1291 |
| Web of Science® Times Cited: | 3 |
| Scopus® Cytowania: | 3 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus | Web of Science Core Collection |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| Compound semiconductor nanocrystals (InAs, InSb, GaSb) were successfully synthesized in single crystalline Si by high fluence ion implantation at 500°C followed by high-temperature rapid thermal annealing or conventional furnace annealing at 900-1100°C. Rutherford backscattering spectrometry, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman scattering, and photoluminescence were employed to characterize the implanted layers. Two different types of the broad band emission extending over 0.75-1.1 eV were observed in photoluminescence spectra of annealed samples. One of the bands disappears in photoluminescence spectra of samples annealed at 1100°C unlike the other one. |
