Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Badania porównawcze sprawności układów dc/dc z tranzystorami si igbt oraz tranzystorami sic typu mosfet
Autorzy:	Fatyga Karol, Kwaśny Łukasz, Stefańczak Bartłomiej
Dyscypliny:
	Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania:	2018
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	2
Wolumen/Tom:	8
Strony:	68 - 71
Bazy:	BazTech
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Witryna wydawcy
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA:	30 maja 2018
Abstrakty:	polski \| angielski
	W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT.
	This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.

Informacja o cookies

A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors

Artykuł w czasopiśmie